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在已有的SiCe HBT基区渡越时间模型的基础上，考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系．结果表明：大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间，基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用．
势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响
【摘 要】
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在已有的SiCe HBT基区渡越时间模型的基础上，考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系．结果表明：大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间，基区Ge的不均匀分布并不
【机 构】
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重庆工学院数理学院
【出 处】
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重庆工学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2007年15期
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