Rotary traveling-wave oscillator design using 0.18μm CMOS

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A rotary traveling-wave oscillator(RTWO) targeted at 5.8 GHz band operation is designed and fabricated using standard 0.18μm CMOS technology.Both simulation and measurement results are presented.The chip size including pads is 1.5×1.5 mm~2.The measured output power at a frequency of 5.285 GHz is 6.68 dBm,with a phase noise of-102 dBc/Hz at 1 MHz offset from the carrier. A rotary traveling-wave oscillator (RTWO) targeted at 5.8 GHz band operation is designed and fabricated using standard 0.18 μm CMOS technology. Both simulation and measurement results are presented. The measured output is 1.5 × 1.5 mm ~ 2. The measured output power at a frequency of 5.285 GHz is 6.68 dBm with a phase noise of-102 dBc / Hz at 1 MHz offset from the carrier.
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