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NexFET产品线推出11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有超低导通电阻并采用QFN封装的25VCSD16570Q5B和30VCSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12VFemtoFETCSD13383F4在采用0．6mm×1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类器件低84％的极低电阻。