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介绍了用微波CVD法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极，阈值电压低于1.09 V/ m，场发射电流密度高达418 mA/ cm2，这是目前文献中报道的最好结果之一．文中还探讨了金刚石薄膜场电子发射机制．
新型金刚石薄膜场电子发射的特性
【摘 要】
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介绍了用微波CVD法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极，阈值电压低于1.09 V/ m，场发射电流密度高达418 mA/ cm2，这是目前文献中报道的最好结果之一．文中
【机 构】
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北京工业大学材料科学与工程学院,北京理工大学材料研究中心
【出 处】
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北京工业大学学报
【发表日期】
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2004年期
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