【摘 要】
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基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作于28 GHz的对称型单刀双掷(SPDT)开关.采用串并联拓扑结构实现高隔离度,通过MOS管与电感器构成的开关电感进行LC阻抗匹配,从而实现了低插
【机 构】
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中电科技集团重庆声光电有限公司,重庆401332;重庆西南集成电路设计有限责任公司,重庆401332;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
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基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作于28 GHz的对称型单刀双掷(SPDT)开关.采用串并联拓扑结构实现高隔离度,通过MOS管与电感器构成的开关电感进行LC阻抗匹配,从而实现了低插入损耗和较小芯片面积.开关管采用悬浮衬底设计,减小了插入损耗,提高了线性度.仿真结果表明,该SPDT开关在工作频率下,插入损耗小于1.7 dB,隔离度大于30 dB,输入输出回波损耗小于-20 dB,输入1 dB压缩点为12 dBm.芯片尺寸为240 μm×180 μm.
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