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报道用分子束外延(MEB)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/ CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果.观测到11H,22H,33H和11L等激子跃迁结构,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应,对子能级结构进行了计算,除x=0.8样品的33H能量计算值与实验值有较大偏差外,实验结果与理论符合得很好.还与光致发光谱实验结果进行了比较.