【摘 要】
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利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室长春中国科学院研究生院
【基金项目】
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国家自然科学基金会资助的课题(50072029,50572101)
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利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的电场,随着离纳米线顶端表面距离的增大,电场迅速下降;纳米线突出栅孔的长度(L-d1)越大,纳米线半径r0、栅孔半径R以及栅极与阳极间距d2越小,则纳米线顶端表面电场越强,而d2较大时d2对表面电场的影响很弱;纳米线顶端边缘电流密度J随着阳极与栅极电压的增加而指数增大.
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