论文部分内容阅读
集成电路的前缘技术是在低厶介质材料上设计3个盖层的复杂结构．上面的盖层可以用TEOS（tetraethyl orthosilicate）四乙基原硅酸盐和／或氮化硅（SiN），下面的层可以在低厶介质之上用氮碳化硅（SiCN），碳化硅（SiC），或CDO（carbon dopped oxide）直接生成。因此，对于适合铜CMP的选择性浆料，除了具备的高去除率之外，须是在去除上面盖层后能够在下面的介质层表面上终止的浆料。Rohm和Haas电子材料已经开发出能够有效地去除TaN，TEPS，SiN，CDO和／或Si