研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法

来源 :中国科学技术大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：q18198837

【摘要】

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提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法一一摄动法．使用摄动法来求解泊松方程，使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作用的耗尽层近似和页面电荷模型在求解过程中

【作者】

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代月花陈军宁柯导明胡媛

【机构】

：

安徽大学电子科学与技术学院

【出处】

：

中国科学技术大学学报

【发表日期】

：

2007年11期

【关键词】

：

摄动方程表面电势亚阈值特性纳米尺寸MOSFETs regular perturbation surface potential subthreshold

【基金项目】

：

Supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 60576066, No. 60644007） and the Natural ScienceFoundation of Anhui Province （No. 2006kj012a）,

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提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法一一摄动法．使用摄动法来求解泊松方程，使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作用的耗尽层近似和页面电荷模型在求解过程中被避免，由此可以解得一个指数形式的亚阈值电流的表达式，从而得到关于亚阈值摆幅变化的解析表达式．通过把所建立的解析模型的计算结果和Medici仿真软件的模拟结果进行比较，可以证明该适用于分析亚阈值区工作特性的模型具有相当的准确性和可用性．

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