【摘 要】
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运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件。利用该退火条件,指导了Cd0.9Mn0.1Te晶体的两温区退火实验
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运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件。利用该退火条件,指导了Cd0.9Mn0.1Te晶体的两温区退火实验,并分析了退火对晶片性能的影响。结果表明：在973 K,Cd气氛下对Cd0.9Mn0.1Te晶片退火140 h后,晶片（111）面的X射线回摆曲线的FWHM值由退火前的168.8″降至108″,红外透过率由退火前48%提升到64%,接近晶体的理论透过率,电阻率也由退火前的2.643×10^5Ω·cm提高
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