N＋多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ericwu8756

【摘要】

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选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路

【作者】

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连军海潮和韩郑生赵洪辰杨荣

【机构】

：

中国科学院微电子研究所

【出处】

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电子器件

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

SOI SIMOX 全耗尽 CMOS SOI SIMOX fully-depleted CMOS

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选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路.nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且泄漏电流很小,在工作电压为3 V时,1.2μm101级环振的单级延迟仅为50.5 ps.

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