【摘 要】
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在900℃和1000℃下煅烧NASICON前驱粉,得到主相为ZrO 2和主相为NASICON的两种粉体,对两种粉体采用热压烧结,分别在1000℃和1150℃得到致密且纯度高的NASICON样品,运用XRD,FES
【机 构】
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西南科技大学环境友好能源材料国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(51904250)
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在900℃和1000℃下煅烧NASICON前驱粉,得到主相为ZrO 2和主相为NASICON的两种粉体,对两种粉体采用热压烧结,分别在1000℃和1150℃得到致密且纯度高的NASICON样品,运用XRD,FESEM对样品进行了测试表征,研究了合成温度对NASICON室温下的晶体结构的影响。通过分析样品电导率的变化与纯度、致密度、晶粒生长和晶体结构的关系表明,900℃煅烧粉体热压烧结制备的NASICON样品的晶体结构随烧结温度的升高而改变,电导率在烧结温度1000~1200℃随着温度的升高先上升后下降,在
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