Eu掺杂ZnO薄膜与Si（100）衬底间扩散过程分析

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yaya1717

【摘要】

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利用雾化热解工艺，在Si（100）衬底上制备了Eu掺杂的ZnO薄膜，通过N2的作用，将前驱体溶液输送到衬底表面，同时为实现ZnO的晶化，衬底温度保持在350℃。通过RBS分析了薄膜和衬底之间的原

【作者】

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朱满康陈健侯育冬严辉

【机构】

：

北京工业大学材料学院

【出处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

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2008年A02期

【关键词】

：

ZNO 薄膜 SI 界面扩散 ZnO thin films Si interface diffusion

【基金项目】

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NSFC （ No.60601020 and 60576012）, PHR （IHLB）

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利用雾化热解工艺，在Si（100）衬底上制备了Eu掺杂的ZnO薄膜，通过N2的作用，将前驱体溶液输送到衬底表面，同时为实现ZnO的晶化，衬底温度保持在350℃。通过RBS分析了薄膜和衬底之间的原子分布，结果显示了ZnO薄膜与Si衬底之间存在过渡层。对RBS数据的分析表明该过渡层的形成是由于Si向ZnO层中的扩散，表明Si向氧化物中的扩散是不能忽略的，即使在350℃的低温下。同时，作者利用Fiek扩散方程对Si向Eu^3＋掺杂ZnO薄膜的扩散行为进行了分析，结果表明掺杂离子Eu^3＋具有阻止Si扩散的能力，

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