【摘 要】
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为了提高氧化锌压敏瓷的综合电性能,采用高能球磨制备Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了Y_2O_3对氧化锌压敏瓷电性能和显
【机 构】
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上海大学纳米科学与技术研究中心,江苏大学材料科学与工程学院,上海大学理学院
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为了提高氧化锌压敏瓷的综合电性能,采用高能球磨制备Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了Y_2O_3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理.结果表明,Y_2O_3掺杂摩尔分数在0~1.00%时,压敏瓷的电位梯度为332~597 V/mm,非线性系数为23.6~40.1,漏电流为0.06~0.90μA.当Y_2O_3掺杂摩尔分数为0.60%时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好,压敏瓷电位梯度为482 V/mm,非线性系数为35,漏电流为0.17μA.掺杂Y_2O_3使压敏瓷晶粒细化是由于Y_2O_3或者单独以Y_2O_3氧化物形式存在,钉扎在晶界,阻碍晶粒长大;或者与Bi_2O_3固溶形成含Y的富铋相,使Bi_2O_3促进晶粒生长的作用受到抑制.
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