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介绍了用能保证哈密顿系统"辛"性质的Lie映射方法来研究电子储存环中的插入元件对束流动力学的影响.并以此方法对合肥光源中将要安装的波荡器UD-1对储存环的影响作了初步的研究.
电子储存环中插入元件的非线性束流动力学的Lie代数方法
【摘 要】
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介绍了用能保证哈密顿系统"辛"性质的Lie映射方法来研究电子储存环中的插入元件对束流动力学的影响.并以此方法对合肥光源中将要安装的波荡器UD-1对储存环的影响作了初步的研
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室
【出 处】
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高能物理与核物理
【发表日期】
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2003年09期
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