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采用反应射频磁控溅射方法，在氮气和氩气混合气氛下并在玻璃基底上成功制备出了纳米氮化铜（Cu3N）薄膜，许研究了溅射功率对Cu3N薄膜的择优取向、平均晶粒尺寸、电阻率、光学能隙的影响．XRD显示溅射功率对氮化铜薄膜的择优取向影响很大，在低功率时薄膜择优[111]方向．存较高功半时薄膜扦优[100]方向．紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明：当溅射功率从80w逐渐增加到120W时，薄膜的光学能隙从1．85eV减小到1．41eV，电阻率从1．45×10^2Ωcm增加笋2．99×10^3Ωcm