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为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。
半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探
【摘 要】
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为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶
【机 构】
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空军工程大学空军工程大学陕西西安陕西西安
【出 处】
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大气与环境光学学报
【发表日期】
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2006年6期
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