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针对轨道交通绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用特点，利用计算机仿真技术对终端结构进行优化，提高耐压特性；采用台面栅结构，提高开关速度；通过控制载流子注入效率，改善Vceon与Eoff的折中关系，降低芯片损耗；采用先进元胞设计技术，提高芯片短路能力，从而提高芯片可靠性；通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率，免除局部寿命控制．降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300VIGBT及其配套FRD芯片，满足轨道交通的应用要求。