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提出一种图形化SOI LDMOSFET结构，埋氧层在器件沟道下方是断开的，只存在于源区和漏区．数值模拟结果表明，相对于无体连接的SOI器件，此结构的关态和开态击穿电压可分别提高57％和70％，跨导平滑，开态I-V曲线没有翘曲现象，器件温度低100K左右，同时此结构还具有低的泄漏电流和输出电容，沟道下方开硅窗口可明显抑制SOI器件的浮体效应和自加热效应．此结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力。