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以西瓜种子为材料,研究了电子束辐照对西瓜种子萌发的影响。结果表明,辐照电压200 KeV下,剂量超过30 kGy时降低了8424西瓜种子发芽势和发芽率,其中辐照剂量55 kGy和60 kGy的处理的发芽势与对照差异达到显著水平,辐照结合引发处理可以缓解辐照处理对种子负面效应;辐照电压100 KeV下,剂量为25 kGy的处理显著提高了美都、雷晓、黑津西瓜种子根长和芽长。说明合适的辐照电压和剂量可以促进西瓜种子萌发,不适合的辐照电压和剂量会延迟西瓜种子萌发,辐照后再进行引发处理可以缓解种子发芽延迟现象。