【摘 要】
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采用纳米级β-SiC粉末、Si粉末、C粉末以及微米级TiH2粉末为原料,利用热等静压原位合成工艺制备了SiC–TiC复相陶瓷,研究了不同原位合成反应和烧结工艺对复相陶瓷微观组织及
【机 构】
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西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室
【基金项目】
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四川省科技支撑计划（2014GPTZ0002）
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采用纳米级β-SiC粉末、Si粉末、C粉末以及微米级TiH2粉末为原料,利用热等静压原位合成工艺制备了SiC–TiC复相陶瓷,研究了不同原位合成反应和烧结工艺对复相陶瓷微观组织及力学性能的影响。结果表明：以SiC、TiH2、C粉末为原料的原位合成反应,无明显副反应发生,更有益于制备成分符合预期、致密度良好且性能优秀的SiC–TiC复相陶瓷。在1600℃,120 MPa,4 h等静压烧结工艺下原位合成得到的体积分数为SiC–32%TiC复相陶瓷具有最好的致密度、硬度、三点弯曲强度以及良好的断裂韧性,分别达到
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