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提出一种基于在0°～180°范围内连续改变沉积膜的蒸发角的方法,利用这种方法可以破坏真空沉积薄膜的典型柱状结构,从而使沉积膜的结构接近大块材料的结构。本文给出了这种结构膜的生长公式,并计算与摸拟了这时薄膜的微观结构,同时分析了由于这种结构而使薄膜具有良好特性的机理。
一种破坏薄膜微柱状结构的镀膜方法：计算机模拟与机理分析
【摘 要】
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提出一种基于在0°～180°范围内连续改变沉积膜的蒸发角的方法,利用这种方法可以破坏真空沉积薄膜的典型柱状结构,从而使沉积膜的结构接近大块材料的结构。本文给出了
【机 构】
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哈尔滨工业大学,哈尔滨工业大学哈尔滨,哈尔滨
【出 处】
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激光技术
【发表日期】
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1990年1期
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