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介绍了一种采用0.13μm CMOS工艺制作的适用于片上集成电路的温度传感器。分析了核心模拟电路和温度检测原理,对参考电压进行了斜率补偿,以取得更准确的温度检测性能。样品电路测试表明,在-55℃~125℃范围内,温度检测结果与实际温度基本吻合。
一种带有斜率补偿的片上温度检测电路
【摘 要】
：
介绍了一种采用0.13μm CMOS工艺制作的适用于片上集成电路的温度传感器。分析了核心模拟电路和温度检测原理,对参考电压进行了斜率补偿,以取得更准确的温度检测性能。样品电
【机 构】
：
广州润芯信息技术有限公司
【出 处】
：
电子技术应用
【发表日期】
：
2020年8期
【基金项目】
：
广东省重大专项(2017B090908005),广州市珠江新星专项(20170010072)
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