石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Louis027

【摘要】

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以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD 制备多晶硅厚膜.XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的（220）取向,这说明外延层的择优取向

【作者】

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杨博陈诺夫孔凡迪牟潇野陶泉丽白一鸣陈吉堃

【机构】

：

华北电力大学新能源电力国家重点实验室,常州英诺能源技术有限公司

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2016年4期

【关键词】

：

石墨籽晶层择优取向退火

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以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD 制备多晶硅厚膜.XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的（220）取向,这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向.SEM 测试结果表明,石墨片上多晶硅外延层生长良好,说明石墨片作为廉价衬底之一,有望投入工业化生产,以降低太阳能电池的制作成本.

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