论文部分内容阅读
,Improvement on the breakdown voltage for silicon-on-insulator devices based on epitaxy-separation b
【机 构】
：
College of Communication Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, China“,”State Key Labo
【出 处】
：
中国物理B（英文版）
【发表日期】
：
2012年2期
其他文献