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X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟.对于100nm同步辐射X射线光刻系统而言,它采用的波长通常为0.7-1.0nm,而当光刻分辨率达到50nm以下时,采用的同步辐射X射线波长范围应该为0.2-0.4 nm.探讨了在北京同步辐射381A光刻束线上进行50 nm X射线光刻的可能性.