【摘 要】
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一种聚酰亚胺（ＰＩ）薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功．这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽＞８０００μｍ；栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ＿２＋Ｓｉ＿３Ｎ＿４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上．本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结
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一种聚酰亚胺（ＰＩ）薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功．这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽＞８０００μｍ；栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ＿２＋Ｓｉ＿３Ｎ＿４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上．本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计、工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论．
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