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基于A1GaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高功率微波器件方面有极其重要的应用前景.文章用自洽一耦合蒙特卡罗(MonteCarlo)方法对A1GaN/GaN异质结构场效应晶体管作了模拟,给出了器件直流特性的MonteCarlo模拟结果,包括器件的粒子分布及器件的等势线分布.最后给出器件在不同栅电压下的直流输出特性.文章的模拟结果对研究GaN基场效应器件有指导意义.