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期刊论文
Si中掺杂原子的瞬间增强扩散现象及抑制方法
Si中掺杂原子的瞬间增强扩散现象及抑制方法
来源 :原子核物理评论 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wudouyuan
【摘 要】
:
简要地介绍了单晶Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象, 综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法, 展望了高能重离子在该领域的应用前
【作 者】
:
刘昌龙
【机 构】
:
中国科学院近代物理研究所
【出 处】
:
原子核物理评论
【发表日期】
:
2001年3期
【关键词】
:
注入掺杂
瞬间增强扩散
单晶
SI
高能重离子
抑制方法
原子
热激活退火
dopant implant transient enhanced diffusio
【基金项目】
:
英国皇家学会资助项目,中国科学院所长基金
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简要地介绍了单晶Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象, 综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法, 展望了高能重离子在该领域的应用前景.
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