光沉积法制备Cu_（0.91）In_（0.09）S修饰的TiO_2纳米管阵列及其光电性能研究

来源 :中国锰业 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ssfeng

【摘要】

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采用阳极氧化法和原位光沉积法制备了Cu_（0.91）In_（0.09）S（CIS）微球修饰的TiO_2纳米管阵列（TiO_2NTs/CIS）。通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对TiO_2NTs/CIS的形貌进行了表

【作者】

：

崔新宇尹媛媛王云鹏靳革张慧

【机构】

：

牡丹江医学院,牡丹江医学院红旗医院,牡丹江市第二人民医院

【出处】

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中国锰业

【发表日期】

：

2017年2期

【关键词】

：

TIO2纳米管阵列 Cu0.91In0.09S微球光催化性能电化学性能 TiO2 Nanotube Arrays Cu0.91In0.09S microsp

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采用阳极氧化法和原位光沉积法制备了Cu_（0.91）In_（0.09）S（CIS）微球修饰的TiO_2纳米管阵列（TiO_2NTs/CIS）。通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对TiO_2NTs/CIS的形貌进行了表征。同时测试了TiO_2NTs/CIS的光电性能及其光催化降解甲基橙（MO）的性能。结果表明平均粒径为600 nm的Cu_（0.91）In_（0.09）S微球均匀分布在TiO_2NTs表面上。在可见光照射下,与未修饰的TiO_2NTs相比,TiO_2NTs/CIS具有更高的

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