C波段3.5W/mm,PAE>40%的InGaP/GaAs HBT功率管

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gaoyangwang

【摘要】

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通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAsHBT功率管.其击穿电压BVCBO大

【作者】

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申华军陈延湖严北平葛霁王显泰刘新宇吴

【机构】

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中国科学院微电子研究所; 中国科学院微电子研究所北京100029; 北京100029;

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

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InGaP/GaAs 异质结双极晶体管功率管

【基金项目】

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中国科学院创新基金资助项目(批准号:KGCX2-SW-107)~~

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通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAsHBT功率管.其击穿电压BVCBO大于31V,BVCEO大于21V;在5.4GHz时连续波(CW)饱和输出功率达到1.4W,功率密度达到3.5W/mm,功率附加效率(PAE)大于40%.

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