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文章分析了影响低压CMOS采样电路性能的主要因素,设计了一种适合在2.5 V电源下工作的CMOS自举开关采样电路.其输入信号的动态范围为0～2.5 V,并给出了0.6 μm标准CMOS工艺条件下的Hspice模拟结果.
一种适于Rail—to—Rail输入的2.5V CMOS模拟采样电路
【摘 要】
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文章分析了影响低压CMOS采样电路性能的主要因素,设计了一种适合在2.5 V电源下工作的CMOS自举开关采样电路.其输入信号的动态范围为0～2.5 V,并给出了0.6 μm标准CMOS工艺条件
【机 构】
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中国科学院
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2003年1期
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