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传统的片上静电放电（ESD）保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验，这种方法不利于产品的推出。提出使用ISE—TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化，以快速地获取面积参数。并以某一典型0．6μmCMOS工艺的可控硅整流器（SCR）结构为例，进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算，达到了缩短设计周期，和增加设计成功率的目的。