【摘 要】
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采用紧束缚的重整化方法研究了(Al_xGa_(1-x)As)_m/(GaAs)_m(001)超晶格的电子能带结构与合金组分x及层厚间的变化关系。给出了临界组分x_o与层厚m间的变化关系图。并以二次
【机 构】
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复旦大学表面物理研究室 上海 200433
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采用紧束缚的重整化方法研究了(Al_xGa_(1-x)As)_m/(GaAs)_m(001)超晶格的电子能带结构与合金组分x及层厚间的变化关系。给出了临界组分x_o与层厚m间的变化关系图。并以二次函数形式给出了直接能隙和间接能隙与合金组分x间的变化关系。最后,也用Kronig—Penney模型对超晶格的电子能带结构进行了计算,并与紧束缚的计算结果进行了比较。
The tight banding regularization method was used to study the relationship between the electronic band structure of the (Al_xGa_ (1-x) As) _m / (GaAs) _m (001) superlattices and the alloy composition x and layer thickness. The relationship between the critical component x_o and layer thickness m is given. The relationship between the direct energy gap and the indirect energy gap and the alloy composition x is given as a quadratic function. Finally, the electron band structure of the superlattice was also calculated using the Kronig-Penney model and compared with the tight-binding calculations.
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