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通过改进RIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺,在SiO2/Si衬底上制备出了性能良好的超导Nb/A1 AlOx/Nb隧道结.采用CF4作为刻蚀气体,降低了RIE对结势垒层和衬底SiO2层的刻蚀.使用PECVD生长绝缘层SiO2,改善了绝缘性能,从而降低了隧道结的漏电流.
Nb/A1- AlOx/Nb隧道结的制备研究
【摘 要】
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通过改进RIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺,在SiO2/Si衬底上制备出了性能良好的超导Nb/A1 AlOx/Nb隧道结.采用CF4作为刻蚀气体,降低了RIE对结势垒层和衬底SiO2层的刻蚀.使用P
【机 构】
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南京大学超导电子研究所
【出 处】
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低温与超导
【发表日期】
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2004年期
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