论文部分内容阅读
以攀钢产V2O5为原料,采用无机胶体法制备电阻突变VO2薄膜,研究了VO2薄膜的电阻突变温度、突变数量级及其突变温度滞后. 结果表明,VO2薄膜相变温度为35oC,制备方法和衬底材质对VO2薄膜的电阻突变数量级有较大影响. 以普通玻璃和石英玻璃作衬底、用H2还原法,可使VO2薄膜的电阻突变达到2－3个数量级,用N2热分解法仅能达到1.5～2个数量级;普通玻璃衬底上VO2薄膜的电阻突变数量级小于石英玻璃衬底上的VO2薄膜的电阻突变数量级. VO2薄膜的电阻突变温度滞后为1～6oC,电阻突变数量级、衬底材质和