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硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺。在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性要求。本文分别介绍了国际上近年来使用F基和Cl2等离子体获得高深宽比的刻蚀方法并进行了比较,总结了各自的优缺点及适用范围。
MEMS器件制造工艺中的高深宽比硅干法刻蚀技术
【摘 要】
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硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺。在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性要求。本文分别介绍了国际上近年来使用F基
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,中国电子科技集团公司第二十四研究所重点实验室
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2004年06期
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