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为了获得氮化硅陶瓷球超光滑表面，提出了一种新的球体双平面抛光方法，通过球体在上下软质盘面之间不断的自旋和滚动实现球面的抛光，从而减小传统铸铁磨盘抛光方法对陶瓷球表面造成的机械损伤。通过试验研究了抛光速度、抛光压力和水基CeO2抛光液浓度对氮化硅陶瓷球表面粗糙度Rα和球形误差△RSW的影响，并给出了优选的抛光工艺参数。