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利用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备了 WO3薄膜,测量了薄膜的伏安特性和显微 结构.实验表明实验制备了颗粒小于 100nm的 WO3多晶膜,薄膜具有良好的非线性电学行为,其 非线性系数在 0.1 ～ 1mA的范围内可达到 10以上.简略讨论了 WO3薄膜的非线性电输运机理.
磁控溅射法制备WO3薄膜及其非线性电学性质
【摘 要】
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利用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备了 WO3薄膜,测量了薄膜的伏安特性和显微 结构.实验表明实验制备了颗粒小于 100nm的 WO3多晶膜,薄膜具有良好的非线性电学行为,其
【机 构】
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华中科技大学物理系
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2003年1期
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