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文章采用固相反应法制备了具有c-轴取向的层状Ri系钴氧化物多晶样品，并测试了样品射频介电常数。实验结果表明，相对于没有明显取向的样品一轴取向样品的相对介电常数从150以上减少到80左右，同时损耗角正切也不到前者的1／2。这是由于没有取向的样品中空间电荷极化对介电常数有很大贡献，而c-轴取向的样品中基本没有空间电荷极化的贡献。