【摘 要】
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硅片表面纳米级污染颗粒的检测与去除是集成电路制造(Integrated Circuit,IC)的关键环节.本文主要对纳秒级脉冲激光作用至硅片表面后纳米颗粒的动力学过程及颗粒成分在线检测
【机 构】
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中国科学院微电子研究所光电技术研究中心,解放军32180部队,试验物理与计算数学重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61404171),国家重点研发计划(批准号:2019YFB2005600)资助的课题
论文部分内容阅读
硅片表面纳米级污染颗粒的检测与去除是集成电路制造(Integrated Circuit,IC)的关键环节.本文主要对纳秒级脉冲激光作用至硅片表面后纳米颗粒的动力学过程及颗粒成分在线检测方法进行了研究.搭建了双脉冲激光测量实验系统,并通过实验对300 nm Cu颗粒进行了双脉冲激光实验观测,通过分析表征颗粒运动轨迹的击穿光谱特征,从实验上观测到了清洗激光作用后颗粒沿垂直硅片表面向上的运动轨迹.在综合考虑空气碰撞阻力、颗粒重力的影响下,建立了激光清洗后颗粒的运动模型,并与实验相结合求解了运动模型参数,计算获得
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