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以无水SnCl4和SbCl3为原料，采用溶胶一凝胶浸渍提拉镀膜法制备锑掺杂二氧化锡（ATO）导电薄膜，并采用XRD、SEM、霍尔效应（Halleffect）、四探针法、UV—Vis等测试手段表征不同Sb掺杂量对ATO薄膜结构及其光电性能的影响。结果表明，Sb的掺杂提高了ATO薄膜的导电性能和光学性能；Sb掺杂量为8％时ATO薄膜的电阻率低达0．048Ω·cm，平均光透射率高达84％，薄膜的综合性能达到最佳。