快速退火对Pt／BST／Pt电容器结构和性能的影响

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【摘要】

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采用脉冲激光沉积（PLD）法在Pt／Ti／SiO2／Si（001）基片上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜，对PVBST／Pt电容器在空气中进行400℃快速退火（RTA）处理，研究了快速退火对Pt／BST／Pt电容器的结构和性能的

【作者】

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王玉强刘保亭孙杰郭哲范志东彭英才

【机构】

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河北大学物理科学与技术学院,河北大学电子信息工程学院

【出处】

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电子元件与材料

【发表日期】

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2009年12期

【关键词】

：

BST薄膜快速退火 Pt/BST界面层氧空位脉冲激光沉积 BST thin film rapid thermal annealing Pt/BST int

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（No.60876055）：河北省自然科学基金资助项目（No.E2008000620,E2009000207）,教育部科学技术研究重点资助项目（No.207013）,河北省应用基础研究计划重点基础研究资助项目（No.08965124D）

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采用脉冲激光沉积（PLD）法在Pt／Ti／SiO2／Si（001）基片上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜，对PVBST／Pt电容器在空气中进行400℃快速退火（RTA）处理，研究了快速退火对Pt／BST／Pt电容器的结构和性能的影响。结果表明：快速退火虽然对BST薄膜的结晶质量影响较小，但却极大改善了Pt／BST／Pt电容器的电学性能。当测试频率为100kHz、直流偏压为0V时，介电损耗从快速退火前的0．07减小到0．03，介电常数和调谐率略有增加。快速退火后负向漏电流过大现象得到了明显抑

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