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射频单电子晶体管具有高电荷灵敏度和高读出速率的特点，可用于超导太赫兹单光子探测器产生的微弱电荷信号的读出。采用绝缘体上硅(SOI)材料制备的硅基单电子晶体管具有结构可控、工艺可重复的优点。但是，目前单电子晶体管的成品率约为30%，难以满足探测器阵列化的需求。为进一步提高单电子晶体管成品率，首先采用电子束零宽度线曝光工艺精确设定单电子晶体管的图形，其次对感应耦合等离子体刻蚀工艺中的气氛比例进行优化，实现电子束曝光图形的良好转移。最后通过降低氧化温度进一步保持了图形转移的准确度。单电子晶体管的隧穿势垒宽度得到