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用比例差分算符（PDO）方法研究了长沟MOSFET在各个工作区域（亚阈区和饱和区）的比例差分特性。利用PDO方法研究全电流Pao-Sah双积分模型，结果发现源漏电 流的比例差分特性在所有的工作区域内部都有谱峰特性，其峰值和峰位与MOSFET的电学参数（如有效迁移率、热电势和阈值电压等）直接相关。利用PDO方法可以避免冗繁地计算双积分公式，并可以容易地提取出重要的MOSFET电学参数。