以光辅助MOCVD法在有取向Ni衬底及LAO单晶衬底上制备YBCO外延膜的比较研究

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【摘要】

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采用光辅助金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法,在生长有CeO2/YSZ/Y2O3（YSZ为Y稳定的ZrO2）缓冲层的双轴取向Ni衬底上进行了YBa2Cu3O7-x（YBCO）外延膜生长,并与LaAlO3（100）[LAO（100）]单晶衬

【作者】

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李善文李伟李国兴张宝林周本初陶伯万高忠民

【机构】

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集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,吉林大学化学学院无机合成与制备化学国家重点实验室

【出处】

：

高等学校化学学报

【发表日期】

：

2013年3期

【关键词】

：

YBa2Cu3O7-x(YBCO) Ni衬底金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 光辅助MOCVD YBa2Cu3O7-x（YBCO） Ni substra

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采用光辅助金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法,在生长有CeO2/YSZ/Y2O3（YSZ为Y稳定的ZrO2）缓冲层的双轴取向Ni衬底上进行了YBa2Cu3O7-x（YBCO）外延膜生长,并与LaAlO3（100）[LAO（100）]单晶衬底上的YBCO外延膜生长进行了对比.发现在Ni衬底上c轴取向YBCO外延膜的生长温度比LAO衬底上的生长温度低约30℃,但生长速度更快.经分析认为,这种差别主要是由于Ni衬底的热导率比LAO衬底高造成的.Ni衬底及LAO衬底上生长的c轴取向YBCO外延膜的超导极限电流

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