【摘 要】
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采用传统陶瓷制备工艺,以容差因子为依据进行CuO掺杂,制备了可在较低温度烧结成瓷的Ba0.6Sr0.4TiO3（BSTO）基陶瓷。结果表明,w（CuO）=0.5%～4.0%的BSTO基陶瓷可在1200℃烧结成瓷,且不
【机 构】
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西北工业大学材料学院,西北工业大学电子信息学院
【基金项目】
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西安应用材料创新基金资助项目（XA-AM-200808）, 西北工业大学科技创新基金资助项目（2006CR11）, 西北工业大学研究生创业种子基金资助项目
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采用传统陶瓷制备工艺,以容差因子为依据进行CuO掺杂,制备了可在较低温度烧结成瓷的Ba0.6Sr0.4TiO3（BSTO）基陶瓷。结果表明,w（CuO）=0.5%～4.0%的BSTO基陶瓷可在1200℃烧结成瓷,且不会引入杂相。介电性能测试表明,在室温低频下,随CuO掺杂量的增加,BSTO陶瓷的介电常数增加,而介电损耗降低;在微波频段下,BSTO基陶瓷的介电常数和介电损耗均随CuO掺杂量的增加而增大。可调性测试表明,在1kV/mm的直流偏压下,各BSTO基陶瓷掺杂样的可调性均大于10%,其中,试样w（Cu
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