采用防Footing效应工艺加工的SOI微加速度计

来源 :纳米技术与精密工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huangfei1117

【摘要】

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为了解决深刻蚀绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)材料时存在的横向刻蚀(Footing)效应,在背腔释放SOI微机电系统(micro electro mechanical system,MEMS)工艺基础上,提出

【作者】

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毛旭杨振川李志宏闫桂珍

【机构】

：

北京大学微电子研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室

【出处】

：

纳米技术与精密工程

【发表日期】

：

2010年4期

【关键词】

：

绝缘体上硅(SOI) 微加速度计横向刻蚀保护电极 silicon on insulator（SOI） micro-accelerometer Footing

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为了解决深刻蚀绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)材料时存在的横向刻蚀(Footing)效应,在背腔释放SOI微机电系统(micro electro mechanical system,MEMS)工艺基础上,提出并实现了一种改进的利用背面保护电极抑制Footing效应的工艺方案.在SOI圆片上生长SiO2和Si3N4掩模材料并图形化后,背面腐蚀支撑层Si至掩埋层SiO2.去除掩埋层SiO2后,完成正面Al电极和背面保护Al电极的溅射.深反应离子干法刻蚀SOI圆片形成结构,再腐蚀背

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