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以正电子湮没技术(PAT)研究Ba(Sn_(1-x)Sbx)O_3系陶瓷中的晶格空位,发现空位浓度在Sb 固溶限以下与x 值呈线性关系.由超高压高温合成法证明Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3的晶胞参数α_0因Sb 挥发形成V_B 而增大.PAT 测得较小的τd 值,证明占B 位的Sb 在高温下迁移形成了B 空位,指出存在Sn~(4+)空位引起空位电导补偿.