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应用材料公司发布了基于Applied Centura Silvia TM刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40％，快速形成平滑、垂直且具有高深宽比的通孔结构。这一高水平的杰出性能使Silvia系统首次将每片硅片的通孔刻蚀成本降低到10美元以下，
应用材料公司改进刻蚀技术，降低TSV（硅通孔）制造成本
【摘 要】
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应用材料公司发布了基于Applied Centura Silvia TM刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40％，快速形成平滑、垂直且具有高深宽比的通孔结构。这一高
【出 处】
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集成电路通讯
【发表日期】
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2011年1期
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